2027年將迎來史上最嚴重內存荒？
7月10日，SK海力士登陸納斯達克當天，公司首席執行官郭魯正警告，全球存儲芯片行業將在2027年迎來史上最嚴重的供應短缺，客戶需求超過產能的局面甚至可能持續到2030年之後。
此前，美光首席執行官桑賈伊·梅赫羅特拉也表示，目前尚不清楚供應何時才能追上持續攀升的需求。英偉達創始人黃仁勳則判斷，AI存儲短缺將延續數年，SK海力士仍將是英偉達最大的存儲供應商。
三位產業核心人物密集發出警告，背後是一場由AI推動、可能四十年一遇的“內存荒”。
過去幾十年，DRAM一直是最典型的週期性商品：需求上來，廠商擴產，產能釋放，價格下跌。但這一輪不同，AI在製造新的需求的同時，還在壓縮供給。
從2023年開始，HBM（AI高帶寬內存）需求快速上升。三星、SK海力士和美光三大存儲廠商用於HBM的晶圓產能，從2023年底約12.3萬片/月增至2025年底約33.1萬片/月，預計2027年底達到約66.8萬片/月。屆時，HBM可能佔三大儲存廠商DRAM總晶圓產能的35%。
問題在於，HBM不是普通DRAM。它需要更大的芯片面積、硅通孔、晶圓減薄、背面加工和複雜堆疊，製造難度更高，良率更低。以HBM3E 12層堆疊爲例，同樣一片晶圓，普通DRAM的比特產出約是HBM的3倍；進入HBM4後，差距可能擴大到接近4倍。
這意味着，廠商越積極轉向HBM，普通DRAM反而越緊缺。SemiAnalysis預計，2026年至2027年，商品DRAM供應缺口可能持續約7%；HBM缺口則可能從2026年的約6%擴大至2027年的約9%。這是一場罕見的雙重短缺，AI服務器爭奪HBM，PC、手機和通用服務器爭奪剩餘DRAM產能。
供應端也難以迅速響應。新建先進存儲晶圓廠需要數十億美元投入和多年建設週期，潔淨室、設備搬入、驗證和良率爬坡都需要時間。2026年的新增產能主要集中在三星P4、SK海力士M15X和美光A3，而且後兩者仍將優先服務HBM。真正大規模的新產能，可能要到2027年下半年才能逐步釋放。
價格因此加速上漲。報告預計，2026年第一季度DDR5和LPDDR5合約價環比分別上漲70%和35%；按2025年四季度至2026年四季度計算，DRAM價格還可能再翻一倍。
超級週期是一把雙刃劍。存儲廠商利潤改善，但手機、PC和AI服務器廠商的物料成本卻持續上升，終端只能通過漲價、降配或削減出貨量來消化壓力。
真正決定週期何時結束的，不只是需求放緩，而是新晶圓廠投產、1b與1c節點遷移、HBM4良率提升，以及廠商是否再次失去資本紀律。至少目前看，這輪由AI推動的內存週期，可能比過去更大，也更久。